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SK keyfoundry成功開(kāi)發(fā)450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺(tái)，斬獲1200V新品訂單，正式開(kāi)啟SiC業(yè)務(wù)全面布局

* 成功開(kāi)發(fā)450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺(tái)，確保高可靠性與良率競(jìng)爭(zhēng)力 * 啟動(dòng)為新客戶開(kāi)發(fā)1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)進(jìn)程韓國(guó)首...

2026-03-11 08:00 2560

SK keyfoundry推出第四代200V高壓0.18微米BCD工藝，加速進(jìn)軍汽車(chē)及AI功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

韓國(guó)首爾2026年1月28日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高壓0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝已正式推出...

2026-01-28 08:00 5682

SK keyfoundry加速碳化硅化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)

-- 通過(guò)收購(gòu)SK powertech掌握核心技術(shù)能力，目標(biāo)2025年底前提供工藝技術(shù) -- 韓國(guó)首爾2025年11月12日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布...

2025-11-12 08:00 5757

SK keyfoundry推出具備高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)工藝

韓國(guó)首爾2025年9月23日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布推出具備業(yè)界領(lǐng)先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)電容工藝。數(shù)...

2025-09-23 08:00 5464

SK keyfoundry攜手LB Semicon聯(lián)合開(kāi)發(fā)Direct RDL，推動(dòng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)升級(jí)，強(qiáng)化汽車(chē)高性能芯片競(jìng)爭(zhēng)力

韓國(guó)首爾 2025年7月15日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布，該公司已攜手LB Semicon成功聯(lián)合開(kāi)發(fā)基于8英寸晶圓的關(guān)鍵封裝技術(shù)Direct R...

2025-07-15 08:00 7472

SK啟方半導(dǎo)體推出能夠測(cè)量速度和方向的3D霍爾效應(yīng)傳感器技術(shù)

韓國(guó)首爾2025年3月6日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布，該公司為其代工廠客戶提供一種新型3D霍爾效應(yīng)傳感器技術(shù)，可通過(guò)三維磁場(chǎng)檢測(cè)來(lái)...

2025-03-06 08:00 8808

SK啟方半導(dǎo)體推出HVIC工藝技術(shù)，擴(kuò)大高壓代工服務(wù)組合

韓國(guó)首爾2024年10月24日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體 (SK keyfoundry)? 今日宣布推出HVIC（高壓集成電路）工藝技術(shù)，從而擴(kuò)大和增強(qiáng)了高壓代工服務(wù)組合...

2024-10-24 08:00 15592

SK啟方半導(dǎo)體推出第四代0.18微米BCD工藝

為提高移動(dòng)和汽車(chē)功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案韓國(guó)首爾2024年9月11日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BC...

2024-09-11 08:00 16357

SK啟方半導(dǎo)體加大力度開(kāi)發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體

韓國(guó)首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開(kāi)...

2024-06-19 08:00 14352

SK啟方半導(dǎo)體將提供增強(qiáng)型0.13微米BCD工藝

加速汽車(chē)功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型韓國(guó)首爾2024年4月25日? /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今日宣布，該公司將提供增強(qiáng)型0.13微米BCD工藝，...

2024-04-25 09:00 12028

啟方半導(dǎo)體更名為"SK啟方半導(dǎo)體"

韓國(guó)首爾2024年1月3日 /美通社/ --?韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司正式更名為SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)。新名稱(chēng)已獲股東批準(zhǔn)，自...

2024-01-03 09:00 16494

啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長(zhǎng)期生產(chǎn)代工協(xié)議，旨在擴(kuò)大汽車(chē)半導(dǎo)體的供應(yīng)

韓國(guó)首爾2023年10月11日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(tuán)(Vishay Intertechnology Inc.)(...

2023-10-11 09:00 11341

啟方半導(dǎo)體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

韓國(guó)首爾2022年6月9日 /美通社/ --?韓國(guó)唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布，將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。 BCD是...

2022-06-09 08:00 9675

啟方半導(dǎo)體適用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的0.18微米高壓BCD工藝開(kāi)始量產(chǎn)

韓國(guó)首爾2022年2月28日 /美通社/ -- 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。 B...

2022-02-28 08:00 13586

啟方半導(dǎo)體加強(qiáng)ESG活動(dòng)

韓國(guó)首爾2021年9月14日 /美通社/ -- 由于新冠肺炎疫情的暴發(fā)，企業(yè)越來(lái)越意識(shí)到自己所承擔(dān)的環(huán)境和社會(huì)責(zé)任的重要性，特別是，環(huán)境、社會(huì)和治理(ESG)理念變得至關(guān)重要。啟方半導(dǎo)體(K...

2021-09-14 08:00 7471

啟方半導(dǎo)體增強(qiáng)對(duì)無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)公司客戶的設(shè)計(jì)支持

韓國(guó)首爾2021年8月11日 /美通社/ -- 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布，公司已開(kāi)發(fā)出一款以客戶為導(dǎo)向的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)支持工具PDK Version E（增...

2021-08-11 08:00 7401

啟方半導(dǎo)體為ABOV提供適用于汽車(chē)功率半導(dǎo)體的第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝

韓國(guó)唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)宣布，該公司為ABOV Semiconductor提供適用于汽車(chē)功率半導(dǎo)體的第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝。

2021-06-16 08:00 9532

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