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韓國首爾2025年9月23日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布推出具備業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)電容工藝。
數字隔離器的高擊穿電壓特性可增強半導體器件的安全性與可靠性，同時延長器件的使用壽命并提升抗噪能力。新型多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構中，總厚度最高可達到18微米。該工藝可提供高達19,000V的擊穿電壓特性及優異電容性能，預計將用于制造數字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。
采用此工藝制造的電容已成功通過主要客戶的經時介電層擊穿(TDDB)評估，并符合AEC-Q100國際汽車半導體質量標準，確保在嚴苛環境下實現高可靠性運行。該工藝尤其可集成到0.13微米及0.18微米BCD工藝技術中，在汽車半導體領域具備極高的應用價值。此外，SK keyfoundry還提供PDK（工藝設計套件）、DRC（設計規則檢查）、LPE（版圖寄生參數提取）、LVS（版圖與電路原理圖一致性檢查）及Pcell（參數化單元）等設計支持工具，助力客戶加速產品開發進程。
SK keyfoundry強調，在電動汽車、工業、通信及醫療保健等領域，部分電子設備對高抗噪能力有明確要求，與基于傳統光隔離器的設備相比，此項數字隔離技術將在性能、可靠性、集成度及成本效益方面形成顯著競爭優勢。
SK keyfoundry首席執行官Derek D. Lee表示："我們很高興推出業界領先的用于數字隔離器的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)工藝技術，該技術正受到電動汽車等電子行業領域的廣泛關注。憑借相比競爭對手更出色的大規模量產經驗，SK keyfoundry將持續開發高可靠性隔離技術，不僅為韓國國內客戶，還將為包括美國、中國大陸和臺灣地區在內的海外客戶提供世界級工藝技術，滿足客戶的多樣化需求。"
