韓國首爾2024年10月24日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC（高壓集成電路）工藝技術(shù)，從而擴大和增強了高壓代工服務組合。
SK啟方半導體的HVIC工藝特點在于，它可以在一個工藝中實現(xiàn)5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體）以及650V以上自舉二極管，這使得客戶能夠減少外部器件，在單個芯片上設(shè)計各種高壓功能。該工藝有望通過確保25V高壓器件和650V nLDMOS器件的高電流性能，來提高客戶產(chǎn)品的競爭力。此外，該工藝還提供非易失性器件、MTP（多次性編程）IP和OTP（一次性編程）IP作為可選功能，使客戶能夠在一種設(shè)計中更改各種產(chǎn)品規(guī)格。
隨著這一HVIC工藝的開發(fā)，SK啟方半導體擴大了其高壓產(chǎn)品陣容，除現(xiàn)有的200V及以下高壓BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝產(chǎn)品和帶有厚金屬間電介質(zhì)（Thick IMD）選項的1500V以上超高壓產(chǎn)品外，新增了650V至1200V范圍內(nèi)的柵極驅(qū)動產(chǎn)品。特別是，該工藝符合汽車質(zhì)量標準AEC-Q100一級標準，適用于電動汽車的汽車電機驅(qū)動器和車載充電器（OBC），并有望將業(yè)務擴展到太陽能逆變器等未來需求預計會增加的各種應用領(lǐng)域。
使用HVIC工藝的主要產(chǎn)品包括高壓柵極驅(qū)動集成電路（IC），這些IC可接收來自微控制器單元（MCU）的控制信號，并直接驅(qū)動高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等柵極，它們被廣泛應用于各種電力產(chǎn)品，包括大型白色家電的電機驅(qū)動器、數(shù)據(jù)服務器的電壓轉(zhuǎn)換器、汽車電機驅(qū)動器和車載充電器，以及工業(yè)電機驅(qū)動器。
SK啟方半導體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："我們推出HVIC工藝技術(shù)意義重大，因為它增強了我們在大型家電和汽車電機市場的競爭力。隨著我們不斷擴大HVIC產(chǎn)品組合，我們將繼續(xù)鞏固我們在多個應用領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，包括用于下一代功率半導體高壓器件的柵極驅(qū)動IC。"
