iDEAL Semiconductor推出SuperQ?技術，開創硅功率器件性能新時代
該技術突破了限制硅技術發展的障礙，為客戶提供了效率更高、體積更小、成本更低的產品
賓夕法尼亞州利哈伊谷2023年5月16日 /美通社/ -- 專注于提供突破性電源效率的無晶圓廠半導體公司iDEAL Semiconductor今天宣布其專利的SuperQ技術全面上市。 SuperQ可在許多應用中減少功率損耗，包括數據中心、電動汽車、太陽能電池板、電機驅動、醫療設備和白色家電。 其更高的效率減少了碳足跡，以實現更可持續的未來。
iDEAL的工程師和科學家改造了功率器件架構，在性能上實現了階梯式提升。 該技術基于占全球半導體制造能力95%的硅，并與未來的功率半導體材料向前兼容。
在過去20年中，基本功率半導體結構的創新有限，硅功率器件的性能已經趨于穩定。 進一步提高性能的嘗試集中在材料方面，而不是擴大硅的極限。 通過原子級的科學研究和工程設計，iDEAL Semiconductor創造了一種新穎的架構，設定了性能的下一個前沿，并推翻了該行業已經走到硅進步之路盡頭的觀點。
iDEAL Semiconductor首席執行官兼聯合創始人Mark Granahan說："iDEAL Semiconductor是為數不多的專注于制造功率器件工藝和架構的公司之一。 我們對硅的改進可以與其他材料提供的改進相媲美，但具有硅的可制造性、可用性和可靠性。 通過在美國與應用材料公司(Applied Materials)和Polar Semiconductor的合作，我們實現了以前難以想象的性能提升。 不論材料如何，我們解決了對功率器件日益增長的需求。 隨著當前全球對更綠色未來的推動，我們非常興奮能在讓產品更具可持續性方面發揮作用，同時也展示了對美國半導體行業的投資可以實現的成就。"
通過原子水平的科學和工程實現，SuperQ提供了創紀錄的單位面積電阻(RSP)。 該技術最初針對高達850伏(V)的電壓，為系統工程師提供改進的功率半導體器件，例如二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和集成電路(IC)。 例如，基于SuperQ的200V MOSFET的電阻比現有硅低6倍，比氮化鎵低1.6倍。 采用SuperQ技術設計的電機驅動逆變器可節省高達50%的功率損耗。 該技術是使用最先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)設備制造的。
此次發布是在C輪融資之后進行的，使總投資超過了7500萬美元。iDEAL的投資者是總部位于美國的高凈值家族辦公室和成功企業家，他們對發展美國國內半導體行業興趣濃厚。 利用這筆資金，iDEAL Semiconductor正在積極擴大其招聘、產品擴散和美國制造能力。
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