新思科技與三星聯合開發的端到端射頻設計參考流程和設計解決方案套件，并集成了Ansys的領先技術，以加快設計完成
加州山景城2022年8月11日 /美通社/——新思科技（納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布推出射頻（RF）設計參考流程和配套的設計解決方案套件（DSK），以加快三星電子（以下簡稱為"三星"）的8nm射頻低功耗FinFET工藝的設計并提高產能，從而幫助雙方客戶加速開發用于5G/6G應用中的射頻設計。8nm射頻設計參考流程采用了新思科技和Ansys的無縫整合的解決方案，助力下一代射頻設計提高完成質量，縮短完成時間，降低實現成本。
三星電子晶圓代工事業部設計團隊副總裁Sangyun Kim表示："三星新的射頻解決方案，即8nm 射頻工藝技術，可以提高5G通信芯片的性能和能效比。當前，世界對于超緊密連接的需求日益增長，我們很高興與新思科技、Ansys緊密合作開發8nm 射頻設計參考流程和設計解決方案套件，以更好地支持共同客戶滿足對于設計復雜性的需求。"
在數字世界中實現更廣的連接
先進節點的模擬和射頻設計是推動"萬物智能"數字世界發展的應用中不可或缺的一部分。然而，面對5G/6G、汽車和高性能計算等應用的帶寬和延遲要求，對于芯片設計的要求往往復雜且耗時。全新推出的8nm 射頻設計參考流程簡化了開發過程，能夠通過行業領先的電路仿真和版圖能效比以及精確的電磁（EM）建模，加速版圖設計周轉時間。該參考流程納入了使用新思科技和Ansys的工具進行射頻設計的成熟方法，包括原理圖設計、仿真、版圖、提取、電磁（EM）仿真和物理驗證。相關的DSK包含一套應用說明、教程和設計實例，涵蓋了先進的設計方法，包括：
該流程的關鍵要素包括新思科技定制設計系列產品，其中有新思科技 Custom Compiler?設計和版圖產品、新思科技PrimeSim?電路仿真產品、新思科技 StarRC?寄生參數提取簽核產品和 新思科技 IC Validator?物理驗證產品；Ansys VeloceRF電感元件和傳輸線綜合產品；以及Ansys RaptorX?和Ansys RaptorH?先進納米電磁分析產品。
Ansys研發部副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示："很高興能與新思科技和三星合作開發射頻設計參考流程。通過與新思科技Custom Compiler設計和PrimeSim仿真解決方案無縫協作，Ansys電感器設計和電磁提取工具擁有行業領先的能力以解決極具挑戰性的設計并為所有先進工藝建模，實現了完整的端到端射頻設計流程。我們共同為射頻設計模塊的設計、優化和驗證提供了一個直觀和易用的流程。"
新思科技工程部副總裁Aveek Sarkar表示："新思科技和三星有著緊密合作的歷史，賦能我們的共同客戶通過三星設計工藝實現平滑和富有成效的設計工作流程。基于我們與Ansys的密切合作，全新射頻設計參考流程和DSK有效簡化了開發先進無線系統的過程，而這些系統將繼續推動我們的智能世界的發展。"
