中芯國際推出差異化的0.13微米低功耗嵌入式工藝

為客戶提供更低成本，更佳性能和更靈活的設計

上海2013年10月15日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（"中芯國際"，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯交所代碼：981），中國內地規模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業，今日宣布，其0.13微米低功耗（LL）的嵌入式閃存（eFlash）工藝已正式進入量產。該技術是中芯國際NVM非揮發性記憶體平臺的延續，為客戶提供了一個高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。

中芯國際的0.13微米嵌入式閃存技術平臺可為客戶提供以下優勢：

• 強耐度：具備高達300K周期的優秀的循環擦寫能力，達到業界標準的三倍；
• 極具成本效益：制程創新，使用較少的工藝步驟；
• 低漏電工藝適合極低功耗的應用并提升性能及可靠性：后段采用銅制程（Cu-BEoL）適合需要高電流密度的應用。

中芯國際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術擁有全面的IP，包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等，同時融合了該技術低功耗、 高性能和高可靠性的特點，可適用于具有低功耗需求的廣泛的微控制器（MCU）應用包括移動設備、智能卡等。此外，中芯國際預期將提供RF、汽車電子、物聯網（IoT）方面的應用。

"我們為客戶對我們0.13微米差異化的嵌入式閃存技術的快速接受和積極反響感到鼓舞。"中芯國際市場營銷和銷售執行副總裁麥克瑞庫表示，"我們很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術在觸摸控制器（TCIC, Touch Controller IC）上的應用已進入量產。根據IHS-iSuppli市場調查顯示，觸摸控制器的全球需求量將從 2012年起實現21%的年復合增長率，2017年將達到約 27 億個單元。"