在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組
此次新品為實現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎
隨著12納米級內存產品陣容的擴展，三星將持續為AI，下一代計算等多行業的各種應用提供支持
深圳2023年9月1日 /美通社/ -- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數據率同步動態隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。
三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）
"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發出實現1TB內存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數據時代對于大容量DRAM內存日益增長的需求。”三星電子存儲器事業部內存開發組執行副總裁SangJoon Hwang表示，“我們將通過差異化的工藝與設計技術，繼續研發內存解決方案，以突破內存技術的瓶頸。"
三星自1983年開發出首款64千比特（Kb）的內存以來，在過去的40年間將內存容量提高了50萬倍。最新開發的32Gb DDR5內存顆粒，采用前沿的工藝技術，提高了集成密度并優化了封裝設計，與DDR5 16Gb顆粒相比，在相同封裝尺寸情況下，三星單片DRAM內存顆粒容量翻倍。
尤其是，過去使用16Gb內存顆粒制造的DDR5 128GB內存模組需要采用硅通孔(TSV)工藝。而現在，通過使用最新開發的32Gb內存顆粒，即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產128GB內存模組。與使用16Gb內存封裝的128GB內存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術突破使該產品成為數據中心等關注能效的企業的優選解決方案。
三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（2）
以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎，三星計劃繼續擴充大容量內存產品陣容，以滿足高性能計算和IT行業持續增長的需求。通過向數據中心，以及采用人工智能和下一代計算等應用的客戶提供12納米級的32Gb內存，三星希望鞏固其在下一代內存市場的前沿地位。未來，該產品還將在三星與其他核心行業伙伴的長期合作中發揮至關重要的作用。
全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產。
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