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加州圣何塞2021年2月15日 /美通社/ -- MaxPower Semiconductor, Inc.（MaxPower）是高性能功率半導體產品供應商，今日宣布，在2021年2月4日的聽證會之后， 美國加州北區(qū)地區(qū)法院駁回了ROHM Semiconductor USA LLC（ROHM USA）對不侵犯MaxPower專利宣告性判決的上訴。 法院認為，MaxPower與ROHM Co.，Ltd.（ROHM Japan; 6963：JPTokyo）的技術許可協(xié)議（TLA）對ROHM Japan的子公司（包括ROHM USA）具有約束力，并且該協(xié)議還要求ROHM USA仲裁其非侵權主張。
“我們感到高興的是法院批準了我們強制仲裁的動議。我們期待著解決關于ROHM違反我們長期非排他性溝槽MOSFET技術和專利許可的爭議。我們有信心在仲裁中勝訴，并且我們打算繼續(xù)積極保護我們的技術資產和其他知識產權。” MaxPower總裁兼首席執(zhí)行官Mohamed Darwish博士說。
MaxPower的首席顧問Roger Cook表示：“ROHM一直在使用這種不當?shù)男嫘耘袥Q程序，以避免仲裁解決涉及ROHM銷售碳化硅溝槽MOSFET的技術許可糾紛。值得慶幸的是，現(xiàn)在應著手解決這一糾紛。”
關于此案
面對MaxPower主張ROHM Japan違反其在技術許可協(xié)議中的義務，2020年9月23日，ROMH USA針對MaxPower提起了訴訟，尋求ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET不侵犯MaxPower在美國的四項專利的聲明性判決。法院駁回訴訟并強制ROHM USA接受仲裁的命令請見https://www.pacermonitor.com/public/case/36415380/Rohm_Semiconductor_USA,_LLC_v_MaxPower_Semiconductor,_Inc，案件號為20-cv-06686-VC。
