SK海力士公司展示了321層4D NAND的樣品，公開了其開發行業首款具有超過300層的NAND的進展。
該公司展示了其321層1Tb TLC 4D NAND Flash的開發進展，并在8月8日至10日在圣克拉拉舉行的Flash Memory Summit（FMS）2023上展示了樣品。
SK海力士是首家詳細披露開發具有超過300層的NAND進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成水平，并從2025年上半年開始大規模生產。
該公司表示，其從已經大規模生產的世界最高238層NAND的成功中積累的技術競爭力為321層產品的開發鋪平了道路。 “通過另一次突破以解決堆疊限制，SK海力士將開啟超過300層的NAND時代并引領市場。”
與早期的238層512Gb相比，321層1Tb TLC NAND的生產率提高了59％，這要歸功于技術發展，該技術使更多單元格堆疊和更大存儲容量在單個芯片上實現，這意味著可以在單個晶片上生產的總容量增加了。
FMS上，SK海力士還介紹了針對此類AI需求進行優化的下一代NAND解決方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企業SSD。
該公司預計這些產品將實現行業領先的性能，以充分滿足高性能客戶的需求。
SK海力士還宣布已經開始開發下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并表示致力于引領行業趨勢。
（美通社頭條）
