SK海力士于8月3日宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。
238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用范圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將于明年發布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產品，其密度是現有產品的兩倍。（美通社,2022年8月3日韓國首爾）
