在4月14日開幕的慕尼黑上海電子展上，三安集成將目前的研發進展和應用方案與到場的1000余家電力電子領域領先企業交流，開展數場技術干貨分享，共同推動行業的蓬勃發展。三安集成將在研發、制造方面持續投入，與行業上下游通力合作，呼吁友商共同發力，推動國內電動智能汽車產業鏈迭代升級，以滿足全球電動智能汽車行業的芯片需求。
開春以來，手機市場巨頭和無人機市場獨角獸先后入局電動智能汽車領域，給原本就火熱的電動智能汽車市場添上一把干柴。電動智能汽車相較于傳統汽車，需要更多的傳感器和功率器件，以求實現外界感測、人機互動和電源轉換系統效率的提升。而目前的芯片市場，“缺芯”的窘況和“漲價”的無奈，已經迅速擴展到IGBT功率模塊、MCU、邏輯處理芯片、DSP和MEMS傳感器芯片，隨后蔓延到各類二三極管。隨著全球電動電動智能汽車市場的快速發展，預計在2030年，僅中國這個最大單一市場的保有量將超過8000萬輛，芯片端的供應失衡或將成為制約電動智能汽車市場發展的一大瓶頸。
事實上，整車廠商、零部件廠商正積極尋求轉變，比亞迪、特斯拉、采埃孚等等企業押注以碳化硅、氮化鎵為代表的下一代寬禁帶半導體，搶先占位材料和器件資源。寬禁帶半導體器件以其耐高溫、高壓的材料特性，可以提供更高功率密度和更高的能源轉換效率，在電動智能汽車關鍵的超800伏高壓快充領域，可以具備IGBT所達不到的高壓工作條件，縮短充電時間；同時具備更大的開關頻率、更好的耐熱性能和更高的擊穿電場，從而減少熱管理部件并縮小模塊體積，降低電力轉換損耗、提高系統效率，進而在相同電池條件下提升續航里程。寬禁帶半導體在電動智能汽車領域的應用已成必然趨勢。
電動智能汽車車型或車型平臺的開發和驗證周期一般需要4年左右，今年入局的新玩家最快將在2025年左右發布原型車平臺。三安集成著眼于2025年的電動智能汽車市場，提前布局碳化硅產能，于湖南長沙投資建設千畝制造基地，一期工程已于2021年1月全面封頂，機臺將于5月陸續進廠調試，下半年啟動投產，預計年產量達40萬片六寸碳化硅晶圓。湖南基地垂直整合了自襯底材料-外延生長-晶圓制造-到封裝測試等環節，提高成本效益，縮短產品迭代周期，加速寬禁帶半導體在電動智能汽車領域的普及。（美通社,2021年4月15日上海）
