新思科技（Synopsys，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其3DIC Compiler解決方案協助三星在一次封裝中完成具有8個高帶寬存儲器（HBM）的復雜5納米SoC的設計、實現和流片。借助3DIC Compiler平臺，三星基于硅中介層技術的多裸晶芯片集成（MDI?）能夠擴展用于高性能計算（HPC）的全新SoC設計的復雜性和容量。與3DIC Compiler的合作可提高三星的設計效率，將完成設計所需時間從數月縮短至數小時。
為應對HPC等加速發展市場中的關鍵設計挑戰，先進封裝變得越來越重要。HPC正在推動越來越多的HBM集成到封裝中，以實現更高的帶寬和更快的訪問。每個HBM堆棧的集成都需要成千上萬的額外die-to-die互連，這增加了封裝中多裸晶SoC的設計復雜性，并且從早期探索到設計簽核都需要進行大量的分析。
新思科技的3DIC Compiler建基于統一的平臺，可利用感知信號完整性的自動布線和屏蔽功能來提高協同設計效率。3DIC Compiler為設計自動化提供了一套全面的功能，包括凸塊放置、高密度布線和屏蔽。為了確保設計的穩定性，3DIC Compiler還使用三星的硅中介層技術，提供Ansys® RedHawk?系列芯片封裝協同仿真工具的in-design支持，以全面分析信號和電源完整性、以及封裝中大量HBM堆棧的熱學可靠性。
（美通社,2020年11月18日加利福尼亞州山景城）
